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武汉华灿启动第三期LED外延芯片扩产项目

2011-03-11 10:01 来源:高工LED 关注度:14304次 字体:   原创申明 投稿
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日前,高工LED记者从武汉市环保局获悉,武汉华灿光电于2011年1月26日正式对外第三期LED外延芯片建设项目环境影响评价公示。

2006年武汉华灿光电有限公司投资约1.5亿元建设“光电半导体照明LED一期建设项目”,设计年产普通蓝、绿光LED器件12亿只、大功率LED器件1.2亿只。目前公司位于武汉东湖新技术开发区武汉大学科技园内,占地160多亩。

公司于2010年6月在一期工程基础上,投资约3.1亿元新建厂房、购置相关生产设备实施光电半导体照明LED二期项目,二期扩建项目完成后,武汉华灿光电有限公司LED器件的年生产能力将达到96亿只。目前二期扩建工程土建部分正在建设中。

公司拟实施“第三期LED外延芯片”建设项目,本项目新增年产LED芯片220亿只的生产能力,“第三期LED外延芯片”建设项目完成后,全厂LED芯片生产能力将达到316亿只/年。
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